富士電機開發(fā)了IGBT模塊作為電動機的可變速驅(qū)動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。
特長
實現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時可保證連續(xù)運行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動
富士IGBT模塊 N系列
N系列是富上電機原第三代產(chǎn)品，原來采用傳統(tǒng)PT工藝，該系列在日本本土變頻器生產(chǎn)中早已到廣泛應用。之后歐派克出現(xiàn)了采用NPT工藝的第四代IGBT模塊。該系列在1200V和1700V門電壓等級中有獨特的優(yōu)勢，成本亦大幅度下降。而用于交流380V電壓等級的產(chǎn)品中（相應IGBT模塊電壓等級為1200V）毆派克在國產(chǎn)變頻器中占主導市場地位。但NPT工藝的模塊在交流220V電莊等級產(chǎn)品在中（相應IGBT模塊電壓等級為600V）其優(yōu)勢不明顯，致使富士電機N系列600V電壓等級IGBT尚不能被取代。在中國市場上UPS產(chǎn)品主要是單進單出（交流220V）占有很大市場。N系列600V電壓等級的IGBT模塊，應用對象是UPS產(chǎn)品以及其他交流電壓為220V的電源變換產(chǎn)品
富士IGBT模塊 N系列
|
|
型號 |
VCES |
IC |
PC |
VCEsat |
封裝 |
|
2MBI50N-060 |
600 |
50 |
250 |
2.8 |
M232 |
|
2MBI75N-060 |
600 |
75 |
320 |
2.8 |
M232 |
|
2MBI100N-060 |
600 |
100 |
400 |
2.8 |
M232 |
|
2MBI150N-060 |
600 |
150 |
600 |
2.8 |
M233 |
|
2MBI200N-060 |
600 |
200 |
780 |
2.8 |
M233 |
|
2MBI300N-060 |
600 |
300 |
1,100 |
2.8 |
M233 |
|
2MBI400N-060 |
600 |
400 |
1,500 |
2.8 |
M235 |
|
2MBI600NT-060 |
600 |
600 |
2,500 |
2.9 |
M238 |
|
1MBI600NN-060* |
600 |
600 |
2,000 |
2.8 |
M129 |
|
1MBI600NP-060* |
600 |
600 |
2,000 |
2.8 |
M128 |
|
|
型號 |
VCES |
IC |
PC |
VCEsat |
封裝 |
|
2MBI50N-120 |
1,200 |
50 |
400 |
3.3 |
M232 |
|
2MBI75N-120 |
1,200 |
75 |
600 |
3.3 |
M232 |
|
2MBI100N-120 |
1,200 |
100 |
780 |
3.3 |
M234 |
|
2MBI150N-120 |
1,200 |
150 |
1,100 |
3.3 |
M234 |
|
2MBI200N-120 |
1,200 |
200 |
1,500 |
3.3 |
M234 |
|
2MBI300N-120 |
1,200 |
300 |
2,100 |
3.3 |
M236 |
|
1MBI200N-120 |
1,200 |
200 |
1,500 |
3.3 |
M127 |
|
1MBI300N-120 |
1,200 |
300 |
2,100 |
3.3 |
M127 |
|
1MBI400N-120 |
1,200 |
400 |
3,100 |
3.3 |
M127 |
